2023년 6월 IEEE VLSI (Symposium on VLSI Technology and Circuit)에서 전자공학부 김대현 교수 연구실의 유지훈 박사과정과 조현빈 박사의 논문이 발표될 예정이다.

VLSI는 반도체와 전자소자분야에서 IEDM과 더불어 세계 최고의 권위를 자랑하는 학술대회이다. VLSI 학회는 매년 반도체 기술 분야 최신 연구내용을 발표하고 전 세계 반도체 기업과 학계에서 투고한 논문 중 가장 뛰어난 소수의 논문만을 선정하고 있다.

김대현 교수 연구실은 지난 2022년 VLSI에 이어 2년 연속 VLSI에 선정되었다. 이번에 발표되는 논문은 세계 최초로 개발된 5층 이상의 Multi-stacked channel 구조를 갖으며 전자이동도가 매우 높은 InGaAs 기반의 MBCFETs (Multi-Bridge Channel FETs) 소자 기술 및 특성 분석 연구결과에 대한 연구 결과이다. 지난 2022년 VLSI 논문의 3층 MBCFET의 연구결과를 이어 5층 적층형 구조를 위한 단위공정기술 최적화를 통해 소자의 특성 향상, 세계 최고성능의 5층 적층형 소자를 제작하였다. 이와 같은 연구 결과는 Samsung, IBM, Intel 등의 국/내외 선진 기업/연구소에서 주도적으로 연구를 진행 중인 FinFETs 이후 technology으로 주목받고 있는 수직 적층형 Nanosheet FETs과 동일한 3D 형태의 전자소자 연구 결과이다.